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IRF540N Transistor Mosfet 33A 100V Canal-N

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IRF540N Transistor Mosfet 33A 100V Canal-N

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16.00 DH

16.00 DH par 1

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  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    33 A
  • Tension Drain Source maximum    100 V
  • Résistance Drain Source maximum    0,044 Ω
  • Tension de seuil maximale de la grille    4V
  • Tension de seuil minimale de la grille    2V
  • Tension Grille Source maximum    ±20 V
  • Type de boîtier    TO-220AB
  • Type de montage    Traversant
  • Nombre de broche    3
  • Mode canal    Enrichissement
  • Catégorie    MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum    130 W
  • Configuration    Simple
  • Longueur    10.54mm
  • Dimensions    10.54 x 4.69 x 8.77mm
  • Retard à la conduction typique    11 ns
  • Hauteur    8.77mm
  • Température d'utilisation maximum    +175 °C
  • Capacitance d'entrée typique @ Vds    1960 pF @ 25 V
  • Retard au blocage typique    39 ns
  • Largeur    4.69mm
  • Nombre d'éléments par circuit    1
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C
  • Charge de Grille type @ Vgs    71 nC @ 10 V

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